新華網北京12月3日電（記者張漫子）國家新能源汽車技術創新中心與北京開源芯片研究院、中科海芯近日在京成立RISC-V車規級芯片技術聯合實驗室，將圍繞國產車企芯片需求提升國產車規級芯片的研發效率、“上車”能力，為提升國產汽車芯片自給率按下“加速鍵”。

　　我國是汽車制造大國，汽車產量蟬聯全球第一，對汽車芯片需求旺盛，國產新能源車尤其是芯片“大戶”。與消費級芯片不同，車規級芯片對可靠性、一致性、穩定性要求更高，需面對更為嚴苛的環境。如需適應-40℃到-150℃的極端溫度、承受高振動、多粉塵、電磁干擾、適應0%-100%的濕度區間等，設計壽命一般應達15年或20萬公里以上，這對芯片質量提出更高要求。

　　北京開源芯片研究院首席科學家包云崗告訴記者，“全球芯片領域，ARM架構長期占據主導地位。在車規級芯片領域，我國和國外還有很大差距，目前絕大多數國產汽車的CPU核仍需依賴國外授權，面臨供應鏈風險。自主可控的國產車規級芯片從研發、生產，再到驗證、上車，亟待提速。”

　　“RISC-V架構作為中國芯片自主可控的一塊‘敲門磚’，有望為提升國產汽車芯片自給率提供更多可能。”國家新能源汽車技術創新中心主任原誠寅說，在這一背景下，聯合實驗室應運而生。

　　根據計劃，RISC-V車規級芯片技術聯合實驗室將發揮平臺與資源優勢，由北京開源芯片研究院提供有競爭力、高可靠性、自主可控的國產車規級IP核，由中科海芯負責將其做成產品，由國創中心推進從芯片設計、開發到形成產品，再到驗證、上車的規范化流程及相應工具，共同提升車規級芯片的開發效率，為實現中國汽車芯片產業鏈、供應鏈自主可控不斷探索。