三星半導體今日宣布，其第九代1Tb TLC V-NAND閃存已開始量產。

三星電子閃存產品與技術主管SungHoi Hur表示：“我們很高興推出三星首款第九代V-NAND產品，這將為未來應用的飛速發展提供新的可能性。為了滿足持續演進的NAND閃存解決方案需求，三星在新型閃存的單元架構和操作方案上實現了重大突破?！?/p>

據悉，第九代V-NAND閃存憑借其超小的單元尺寸和極致的疊層厚度，實現了比上一代產品高約50%的位密度。新技術的運用，如單元干擾避免和單元壽命延長，不僅提升了產品的質量和可靠性，而且通過消除虛通道孔顯著減少了存儲單元的平面面積。

此外，三星展現了其在制造工藝上的卓越能力，通過采用先進的“通道孔蝕刻”技術，該技術能夠在雙層結構中同時鉆孔，達到業界最高的單元層數，從而最大限度地提高了生產效率。隨著閃存單元層數的增加，對更復雜蝕刻技術的需求也日益凸顯。

值得一提的是，第九代V-NAND還配備了新一代的NAND閃存接口“Toggle 5.1”，使數據傳速速度提升了33%，最高可達到每秒3.2Gbps。同時，三星還計劃通過增強對PCIe 5.0的支持來進一步鞏固在高性能固態硬盤市場的地位。

與上一代相比，第九代V-NAND還在低功耗設計上取得了顯著進步，功耗降低了10%，這一改進使得新型閃存成為未來低能耗應用的理想選擇。

目前，三星已經開始了第九代1Tb TLC V-NAND的量產，并計劃在今年下半年推出四層單元（QLC）的第九代V-NAND產品。