據電子時報報道，外界雖不看好英特爾芯片制造進展，但2021年美國國防部提出的RAMP-C計劃，一開始就與英特爾簽下代工協議，將使用Intel 18A技術開發和生產芯片。
此前外媒報道稱，英特爾已完成其Intel 18A（1.8nm級）和Intel 20A（2nm級）制造工藝的開發，這些工藝將用于制造公司自己的產品，以及為其英特爾代工服務（IFS）部門的客戶生產的芯片。預計Intel 20A將使英特爾超越臺積電和三星代工廠等競爭對手，英特爾計劃在2024年上半年開始使用該節點。
臺媒報道稱，若英特爾先進制程與封裝技術藍圖按既定計劃進行，不僅2024年超越三星電子目標達成，臺積電延遲至2025年量產的美國新廠，也將面臨美國政府訂單分食的壓力。
此外，若英特爾計劃實現，半導體與PC、服務器產業將有重大變化。
英特爾指出，Intel 18A制程節點先在內部逐步提升產能與解決制程問題，進而大幅降低外部代工客戶的風險。
半導體廠商表示，肩負美國制造重任的英特爾取得美國支持，RAMP-C計劃將使用Intel 18A技術開發和生產芯片，也就是2025年后將量產。
先前外界認為，臺積電美國廠難獲利，必須仰賴美國政府訂單，應該也取得了美方長約承諾，才會決定建設2座4/3nm制程新廠。然而英特爾以更先進的Intel 18A制程搶下美國政府等眾多訂單，未來或將改變代工市場格局。
