IT之家 10 月 10 日消息，閃存市場固然存在全球經濟下行、高通脹等諸多因素影響，依然處于充滿挑戰的時期，但美光、三星等 DRAM 巨頭正積極備戰 1γ DRAM 技術。
圖源：SK 海力士DRAM
目前全球最先進的 DRAM 工藝發展到了第五代，美光將其稱為 1β DRAM，而三星將其稱為 1b DRAM。
美光于去年 10 月開始量產 1β DRAM，不過研發的目標是在 2025 年量產 1γ DRAM，這將標志著美光首次涉足極紫外 (EUV) 光刻技術。
而三星計劃 2023 年邁入 1b DRAM 工藝階段，芯片容量從 24Gb（3GB）到 32Gb（4GB），原生速度從 6.4 提高到 7.2Gbps。
NAND
在 NAND 閃存業務中，該技術現已突破 200 層堆疊的顯著里程碑，存儲制造商不斷追求更高的層數。
SK 海力士于 8 月 9 日在 2023 閃存峰會上展示了全球首款 321 層 NAND 閃存樣品。與之前的 238 層 512Gb NAND 相比，這一創新將效率提高了 59%。SK 海力士計劃進一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半年開始生產。
此外，美光還制定了超越 232 層的雄心勃勃的計劃，即將推出 2YY、3XX 和 4XX 等產品。Kioxia 和西部數據也在積極探索 300 層、400 層和 500 層以上的 3D NAND 技術。
IT之家此前報道，三星計劃在 2024 年推出第九代 3D NAND，可能具有 280 層，隨后在 2025-2026 年推出第十代，可能達到 430 層，他們的最終目標是到 2030 年實現 1000 層 NAND 閃存。
