據科技日報，日前，美國佐治亞理工學院研究人員創造了世界上第一個由石墨烯制成的功能半導體。研究團隊使用特殊熔爐在碳化硅晶圓上生長石墨烯時取得了突破。他們生產了外延石墨烯，這是在碳化硅晶面上生長的單層。研究發現，當制造得當時，外延石墨烯會與碳化硅發生化學鍵合，并開始表現出半導體特性。測量表明，他們的石墨烯半導體的遷移率是硅的10倍。該項突破為開發全新電子產品打開了大門。研究發表在《自然》雜志上。