今日三星半導體宣布，其第九代 V-NAND 1Tb TLC產品開始量產，比三星上一代產品提高約50%的位密度（bit density），通過通道孔蝕刻技術（channel hole etching）提高生產效率。

　　第九代V-NAND閃存憑借其超小的單元尺寸和極致的疊層厚度，實現了比上一代產品高約50%的位密度。新技術的運用，如單元干擾避免和單元壽命延長，不僅提升了產品的質量和可靠性，而且通過消除虛通道孔顯著減少了存儲單元的平面面積。

　　第九代 V-NAND 配備了下一代NAND閃存接口“Toggle 5.1”，可將數據輸入 / 輸出速度提高33%，最高可達每秒3.2千兆位（Gbps）。除了這個新接口，三星還計劃通過擴大對PCIe 5.0的支持來鞏固其在高性能固態硬盤市場的地位。與上一代產品相比，基于三星在低功耗設計方面取得的進步，第九代V-NAND的功耗也降低了10%。