IT之家 1 月 27 日消息，據(jù)中科院半導(dǎo)體所發(fā)布，中國(guó)科學(xué)院院士，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員、我國(guó)著名半導(dǎo)體光電子學(xué)家王圩先生因病醫(yī)治無(wú)效，不幸于 2023 年 1 月 26 日 18 點(diǎn) 11 分在北京逝世，享年 86 歲。

　　王圩院士 1937 年 12 月 25 日生于河北文安，1960 年畢業(yè)于北京大學(xué)物理系半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)，同年到中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所工作至今。他是我國(guó)著名的半導(dǎo)體光電子學(xué)專(zhuān)家，為我國(guó)半導(dǎo)體學(xué)科建設(shè)、技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)振興以及人才培養(yǎng)作出了重要貢獻(xiàn)。IT之家了解到，王圩院士先后獲得國(guó)家“六五”攻關(guān)獎(jiǎng)、中國(guó)科學(xué)院科學(xué)技術(shù)進(jìn)步一等獎(jiǎng)、國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步二等獎(jiǎng)、中國(guó)材料研究學(xué)會(huì)科學(xué)技術(shù)一等獎(jiǎng)等。1997 年當(dāng)選中國(guó)科學(xué)院院士。

　　王圩院士在半導(dǎo)體光電子學(xué)領(lǐng)域辛勤耕耘、造詣?lì)H深，并取得了一系列重要科研成果。20 世紀(jì) 60 年代率先在國(guó)內(nèi)研制成功無(wú)位錯(cuò)硅單晶，為我國(guó)硅平面型晶體管和集成電路的發(fā)展作出了貢獻(xiàn)。70 年代率先在國(guó)內(nèi)研制成功單異質(zhì)結(jié)室溫脈沖大功率激光器和面發(fā)射高亮度發(fā)光管，并成功應(yīng)用于夜視、引信、打靶和精密測(cè)距儀上；參與建立了國(guó)內(nèi)首批 Ⅲ-V 族化合物液相外延方法，為國(guó)內(nèi)首次研制成功 GaAs 基短波長(zhǎng)脈沖激光器奠定基礎(chǔ)。80 年代至 90 年代研制成功 1.3 微米 / 1.5 微米激光器和應(yīng)變量子阱動(dòng)態(tài)單模分布反饋激光器，為我國(guó)提供了用于研發(fā)第二、第三代長(zhǎng)途大容量光纖通信急需的光源。進(jìn)入新世紀(jì)以來(lái)，主持開(kāi)展大應(yīng)變量子阱材料以及不同帶隙量子阱材料的單片集成等關(guān)鍵技術(shù)的研究，建立了可集成半導(dǎo)體激光器、電吸收調(diào)制器、光放大器、探測(cè)器以及耦合器等部件的集成技術(shù)平臺(tái)，為開(kāi)展多個(gè)光學(xué)部件的單片集成技術(shù)奠定了基礎(chǔ)。