近日，華為技術有限公司、哈爾濱工業大學申請的一種基于硅和金剛石的三維集成芯片的混合鍵合方法專利公布，申請公布號為CN116960057A。

　　摘要顯示，本發明涉及芯片制造技術領域。該方法包括：制備硅基Cu/SiO2混合鍵合樣品和金剛石基Cu/SiO2混合鍵合樣品后進行等離子體活化處理；將經等離子體活化處理后Cu/SiO2混合鍵合樣品浸泡于有機酸溶液中，清洗后吹干；在吹干后的硅基和/或金剛石基Cu/SiO2混合鍵合樣品的待鍵合表面上滴加氫氟酸溶液，將硅基和金剛石基Cu/SiO2混合鍵合樣品對準貼合進行預鍵合，得到預鍵合芯片；將預鍵合芯片進行熱壓鍵合，退火處理，得到混合鍵合樣品對。本發明實現了以Cu/SiO2混合鍵合為基礎的硅/金剛石三維異質集成。