縮小晶體管尺寸對(duì)于持續(xù)提升芯片性能至關(guān)重要，半導(dǎo)體行業(yè)從未停止探索縮小晶體管尺寸的方法。

　　ASML 首席技術(shù)官 Martin van den Brink 在 2022 年 9 月接受采訪時(shí)表示，光刻技術(shù)經(jīng)過(guò)數(shù)十年的創(chuàng)新發(fā)展之后，High-NA EUV 可能走到了該技術(shù)的盡頭。

　　ASML 經(jīng)過(guò) 1 年多的探索，有種船到橋頭自然直，柳暗花明又一村的突破，Brink 在《2023 年度報(bào)告》中提出了 Hyper-NA EUV 概念，有望 2030 年問(wèn)世。

　　IT之家翻譯 Brink 在《報(bào)告》中內(nèi)容如下：

　　NA 高于 0.7 的 Hyper-NA 無(wú)疑是新機(jī)遇，將成為 2030 年之后的新愿景。Hyper-NA 和邏輯電路息息相關(guān)，成本比 High-NA EUV 雙重曝光（Double Patterning）更低，也為 DRAM 帶來(lái)新機(jī)遇。

　　而對(duì)于 ASML 來(lái)說(shuō)，Hyper-NA 可以推動(dòng)我們的整體 EUV 能力平臺(tái)，以改善成本和交付周期。

　　Low-NA EUV

　　ASML 現(xiàn)有的 Low-NA EUV 光刻工具孔徑數(shù)值（NA）為 0.33，線寬 / 關(guān)鍵尺寸（CD）為 13.5nm，單次曝光下能夠產(chǎn)生最小 26nm 的金屬間距、25-30nm 的 T2T（針尖對(duì)針尖，切割線末端之間的距離）互連間距，足以生產(chǎn) 4nm / 5nm 工藝的芯片。

　　而 3nm 工藝需要 T2T 互連間距縮短到 21-24nm，臺(tái)積電的 N3B 工藝技術(shù)使用 Low-NA EUV 光刻工具，通過(guò)雙重曝光的方式，來(lái)盡可能地縮短間距，因此成本大幅提升。

　　ASML 近期開(kāi)始向英特爾交付的 High-NA EUV 的孔徑數(shù)值為 0.55，其線寬為 8nm，理論上可以打印最小 8nm 的金屬間距產(chǎn)品，對(duì)于 3nm 工藝來(lái)說(shuō)非常有用，在雙重曝光下甚至可以生產(chǎn) 1nm 芯片。

　　ASML 的 High-NA Twinscan EXE 光刻機(jī)代表了該公司技術(shù)的巔峰，每臺(tái)設(shè)備重達(dá) 150,000 公斤，相當(dāng)于兩架空客 A320 客機(jī)，需要 250 個(gè)集裝箱運(yùn)輸，運(yùn)到客戶手里后還要再由 250 名工程師花費(fèi)六個(gè)月的時(shí)間組裝。

　　金屬間距在 1nm 之后會(huì)更小，因此 ASML 需要更先進(jìn)的工具，這也引出了 Hyper-NA EUV 概念。

　　Brink 在接受 Bits &Chips 采訪時(shí)證實(shí)，公司正在研究 Hyper-NA 技術(shù)的可行性，不過(guò)，目前還沒(méi)有做出最終決定。

　　ASML 正在調(diào)查開(kāi)發(fā) Hyper NA 技術(shù)，繼續(xù)推進(jìn)各項(xiàng)光刻指標(biāo)，其中 NA 數(shù)值將超過(guò) 0.7，預(yù)計(jì)在 2030 年左右完成。

　　提高投影光學(xué)器件的數(shù)值孔徑背后不僅需要付出高昂的成本，而且需要重新設(shè)計(jì)光刻工具，意味著在 High-NA EUV 基礎(chǔ)上可能還要再擴(kuò)大尺寸，而且需要開(kāi)發(fā)新的組件，成本不可避免地上漲。

　　根據(jù)微電子研究中心 (IMEC) 的路線圖，2030 年左右應(yīng)該能推進(jìn)到 A7 0.7nm 工藝，之后還有 A5 0.5nm、A3 0.3nm、A2 0.2nm。

　　IT之家查詢 ASML 公司資料，一臺(tái) Low-NA EUV Twinscan NXE 機(jī)器售價(jià)起步 1.83 億美元，如果需要其它配置還需要額外加錢(qián)。

　　而一臺(tái) High-NA EUV Twinscan EXE 工具的起步價(jià)格為 3.8 億美元，可以預(yù)見(jiàn) Hyper-NA 的起步價(jià)格會(huì)更高，甚至可能翻倍。