作者｜習翔宇

　　編輯｜蘇建勛 邱曉芬

　　Micro LED（微米發光二極管）由微米級半導體發光單元陣列組成，由于其自發光、高效率、低功耗、可集成、高可靠性等諸多優點，被認為是最有前景的下一代顯示技術。相比液晶（LCD）顯示和有機發光二極管（OLED）顯示技術，Micro LED顯示技術在各方面均有領先。一旦突破技術瓶頸進入量產，Micro LED有望帶來新一輪顯示技術升級換代。

　　然而，先進技術在發展前期往往面臨工藝和成本難題。以4K Micro LED顯示屏為例，屏幕上有830萬個像素，意味著需要將近2500萬顆 Micro LED發光芯片從晶圓轉移到承載基板，這些數量龐大而又尺寸微小的LED芯片，給Micro LED量產帶來了諸多難題，例如外延的波長一致性、芯片檢測與修復、混BIN技術等等；同時，要體現Micro LED的高亮度、高效率的技術特點，又需要與LED特性相匹配的驅動技術方案。

　　顯示技術公司麥沄顯示關注到了行業痛點，著力研發Micro LED芯片、驅動匹配方案、巨量轉移等關鍵技術，以解決Micro LED量產問題。36氪獲悉，2024年2月，麥沄顯示首款百微米以內驅動芯片（Micro IC）流片下線。麥沄顯示表示，本次流片下線，意味著更匹配Micro LED發光特性的驅動芯片生產成本得以大幅降低，初具量產性。

　　麥沄顯示首款百微米以內驅動芯片（Micro IC）圖源：麥沄顯示

　　針對Micro LED芯片檢測難和巨量轉移良率低的問題，麥沄顯示則使用Chiplet架構，將RGB Micro LED發光芯片和一顆驅動芯片（Micro IC）集成為一顆像素器件，從而實現光驅一體化。這種大芯片結構實現了對 Micro LED芯片的測試、分選和混BIN，降低其對于波長一致性和轉移精度的要求；又匹配現有產業鏈成熟的COB工藝設備，避開大面板的巨量轉移良率難題，更為像素修復提供了便利性。

　　從更深的層面來看，Micro IC的驅動性能與Micro LED更加匹配。相較于傳統TFT（薄膜晶體管）驅動，單晶硅制程的Micro IC功耗會大幅降低，更容易發揮出Micro LED高亮度、高光效的特性。并且，光驅一體的Chiplet架構為擺脫TFT基板的限制提供了一條可能的技術路線。無需再考慮驅動單元，像素器件可以轉移到任意基板上，例如柔性、透明的基材。這將大大拓寬Micro LED的應用場景。

　　在團隊層面，麥沄顯示有著一支兼具技術能力、產業化經驗與行業資源的團隊。核心成員來自國內頭部液晶面板廠商、LED廠商及知名高校，擁有多年Micro LED和巨量轉移技術研發經驗。2020年成立時，麥沄顯示便開始Micro LED的Chiplet研發布局。2021年，麥沄在國內首次推出200微米的micro LED封裝芯片。2023年，麥沄的Chiplet產品與全球最大的半導體顯示廠商完成定制化開發和小批量出貨，并且在SID、IPC、ISLE等全球知名顯示展上相繼亮相。

　　本次百微米以內Micro IC流片下線后，麥沄顯示將結合Micro LED發光芯片一起完成Chiplet封裝。麥沄顯示表示，未來將探索融入更多功能的像素器件，通過光、驅、傳感一體的像素器件和巨量轉移技術，重新定義顯示模組。最終目標是將顯示做成即貼即用的薄膜形態，實現“用顯示重構世界”的愿景。

　　據36氪了解，麥沄顯示新一輪融資即將啟動，星涵資本擔任長期獨家財務顧問。