據(jù)韓媒 etnews 近日報道，三星電子正與應(yīng)用材料合作，以降低其 4nm 工藝中 EUV 光刻的用量。

　　相比傳統(tǒng) DUV 技術(shù)，EUV 光刻可實現(xiàn)更高的圖案化精度，但相對應(yīng)的，也更昂貴。

　　而對于尖端半導(dǎo)體，晶圓廠越來越多地使用 EUV 雙重圖案化來實現(xiàn)小于單次 EUV 光刻分辨率限制的芯片特征，以優(yōu)化芯片面積，而這意味著整體成本的成倍增加。

　　據(jù)報道，三星正在 4nm 制程上評估應(yīng)用材料的 Centura Sculpta 系統(tǒng)，以縮短工藝流程，降低成本。

　　該系統(tǒng)于去年初發(fā)布，實現(xiàn)了一項名為圖案塑形的新功能。

　　圖案塑形可以精確定向修改晶圓特征圖形的尺寸，增強 EUV 圖案化性能，減少最關(guān)鍵圖層的圖案化次數(shù)，進而實現(xiàn)功率、性能、面積、成本和上市時間的改進。

　　應(yīng)用材料宣稱，Centura Sculpta 系統(tǒng)可在每片晶圓上節(jié)約 50 美元（IT之家備注：當(dāng)前約 360 元人民幣）的制造成本，并減少能源和水資源的消耗以及二氧化碳的排放。