3D晶體管正在各種類型芯片中鋪開，3D DRAM內存也討論了很多年，但一直沒有落地。如今三星公開的路線圖上，終于出現了3D DRAM。

　　三星的DRAM芯片制造工藝目前處于1b，后續還有1c、1d，都是10nm級別。

　　再往后的10nm以下節點，將分別命名為0a、0b、0c、0d，其中打頭的0a工藝預計2027年底-2028年初量產(月產能超過2萬塊晶圓)，0d則要到2032年。

　　就在進入10nm之后，三星將全面開啟3D內存時代，首先引入VCT(垂直通道晶體管)，看起來應該是基礎的FinFET類型，而非更先進的GAA。

　　大約2030-2031年的時候，三星將升級到堆疊DRAM，將多組VCT堆在一起，從而獲得更大容量、更高性能，看起來還會引入電容器作為輔助。