最新行業(yè)報(bào)告顯示，臺(tái)積電正積極上調(diào)系統(tǒng)級(jí)集成單芯片（SoIC）的產(chǎn)能計(jì)劃，計(jì)劃到 2024 年年底，月產(chǎn)能躍升至 5000-6000 顆，以應(yīng)對(duì)未來人工智能（AI）和高性能計(jì)算（HPC）的強(qiáng)勁需求。

　　AMD 是臺(tái)積電 SoIC 的首發(fā)客戶，其最新 AI 芯片產(chǎn)品 MI300 搭配 SoIC 和 CoWoS 封裝，如果能取得成功，那么將成為臺(tái)積電 SoIC 的一大代表作。

　　臺(tái)積電最大的客戶蘋果公司對(duì) SoIC 非常感興趣。蘋果計(jì)劃讓 SoIC 搭配熱塑碳纖板復(fù)合成型技術(shù)，目前正小量試產(chǎn)，預(yù)計(jì) 2025-2026 年量產(chǎn)，擬應(yīng)用在 Mac、iPad等產(chǎn)品，制造成本比當(dāng)前方案更具有優(yōu)勢(shì)。

　　業(yè)內(nèi)人士分析稱，蘋果這一路線主要是基于產(chǎn)品設(shè)計(jì)、定位、成本等綜合考量。若未來 SoIC 順利導(dǎo)入筆電、手機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品，有望創(chuàng)造更多需求，并大幅提升其他大客戶的跟進(jìn)意愿。

　　注：臺(tái)積電 SoIC 是業(yè)內(nèi)第一個(gè)高密度 3D chiplet 堆疊技術(shù)。SoIC 設(shè)計(jì)是在創(chuàng)造鍵合界面，讓芯片可以直接堆疊在芯片上。

　　封裝技術(shù)主要指標(biāo)為凸點(diǎn)間距（Bump Pitch），凸點(diǎn)間距越小，封裝集成度越高，難度越大，臺(tái)積電的 3D SoIC 的凸點(diǎn)間距最小可達(dá) 6um，居于所有封裝技術(shù)首位。

　　SoIC 是一種3D 封裝最前沿技術(shù)，是臺(tái)積電異構(gòu)小芯片封裝的關(guān)鍵，具有高密度垂直堆疊性能。與 CoWoS 及 InFo 技術(shù)相比，SoIC 可提供更高的封裝密度、更小的鍵合間隔，還可以與 CoWoS / InFo 共用，基于 SoIC 的 CoWoS / InFo 封裝將帶來更小的芯片尺寸，實(shí)現(xiàn)多個(gè)小芯片集成。

　　業(yè)內(nèi)人士表示，SoIC 在 2023 年年底，月產(chǎn)能為 2000 顆，原本計(jì)劃 2024 年擴(kuò)大到 3000-4000 顆，而最新計(jì)劃被上調(diào)至 5000-6000 顆，而且 2025 年目標(biāo)月產(chǎn)能再翻番。

　　CoWoS 是一項(xiàng)經(jīng)過 15 年發(fā)展的成熟技術(shù)，預(yù)計(jì)到今年年底月產(chǎn)能將達(dá)到 30000 至 34000 件。